型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ12DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSZ130N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成 | |
BSZ130N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET | |
BSZ130N03MS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS? 25V 成 | |
BSZ130N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | |
BSZ146N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 | |
BSZ150N10LS3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS? 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
BSZ15DC02KD H | INFINEON |
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互补式功率 MOSFET - 在同一封装内的 n 通道和 p 通道功率 MOSFET - | |
BSZ160N10N3SG | INFINEON |
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OptiMOSTM 3 Power-Transistor |