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BSZ12DN20NS3G

更新时间： 2024-11-20 09:00:39
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英飞凌 - INFINEON /
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9页 676K
描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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BSZ12DN20NS3G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11.3 A最大漏极电流 (ID)：11.3 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BSZ12DN20NS3G 数据手册

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BSZ12DN20NS3 G  
$(*'#$%TM3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
200  
125  
11.3  
V
9 ꢀ /2*, *7&% '.0 % $ ꢁ% $ $ .- 4&01*.-  
9 ꢂ ꢁ$ )" - - &+ꢃ - .0, " + +&4&+  
RDS(on),max  
ID  
m#  
A
9 ꢄ 6$ &++&- 2 (" 2& $ )" 0(& 6 R DS(on) product (FOM)  
9 ꢅ .5 .- ꢁ0&1*12" - $ & R DS(on)  
PG-TSDSON-8  
9 ꢆ ꢇ ꢈ 8ꢉ ./&0" 2*- ( 2&, /&0" 230&  
9 ꢊ # ꢁ'0&& +&" % /+" 2*- (ꢋ ꢌ .ꢍ   $ ., /+*" - 2  
9 ꢎ 3" +*'*&% " $ $ .0% *- ( 2. ꢏ ꢄ ꢐ ꢄ ꢉ 1) for target application  
9 ꢍ " +.(&- ꢁ'0&& " $ $ .0% *- ( 2. ꢑꢄ ꢉ ꢒ ꢆ ꢓ ꢔ ꢕ ꢁꢓ ꢁꢓ ꢆ  
Type  
Package  
Marking  
BSZ12DN20NS3 G  
PG-TSDSON-8  
12DN20N  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
11.3  
8.0  
A
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
45  
I D=5.7 A, R GS=25 #  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
60  
mJ  
V
V GS  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
50  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 150  
55/150/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) see figure 3  
Rev. 2.1  
page 1  
2010-09-01  
1234567...9

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BSZ12DN20NS3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSC12DN20NS3G INFINEON

完全替代

 OptiMOSTM3 Power-Transistor

与BSZ12DN20NS3G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BSZ12DN20NS3GATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
BSZ130N03LS G INFINEON

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 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
BSZ130N03LSG INFINEON

获取价格

 		OptiMOS™3 Power-MOSFET
BSZ130N03MS G INFINEON

获取价格

 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
BSZ130N03MSG INFINEON

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BSZ160N10N3SG INFINEON

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 		英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM

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