BSC12DN20NS3G

更新时间： 2024-09-25 09:00:23

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描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

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BSC12DN20NS3G 数据手册

Type

BSC12DN20NS3 G

$(*'#$%^TM3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V_DS

200

125

11.3

9 ꢀ /2*, *7&% '.0 % $ ꢁ% $ $ .- 4&01*.-

9 ꢂ ꢁ$ )" - - &+ꢃ - .0, " + +&4&+

R_DS(on),max

I_D

9 ꢄ 6$ &++&- 2 (" 2& $ )" 0(& 6 R _DS(on)product (FOM)

9 ꢅ .5 .- ꢁ0&1*12" - $ & R _DS(on)

PG-TDSON-8

9 ꢆ ꢇ ꢈ 8ꢉ ./&0" 2*- ( 2&, /&0" 230&

9 ꢊ # ꢁ'0&& +&" % /+" 2*- (ꢋ ꢌ .ꢍ $ ., /+*" - 2

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Type

Package

Marking

BSC12DN20NS3 G

PG-TDSON-8

12DN20NS

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

11.3

8.0

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=5.7 A, R _GS=25 #

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 150

55/150/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

Rev. 2.1

page 1

2010-09-01

12 3 4 5 6 7...9

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BSC12DN20NS3G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BSZ12DN20NS3G	INFINEON	完全替代	OptiMOSTM3 Power-Transistor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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