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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ123N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ123N08NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ12DN20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| BSZ12DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| BSZ130N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
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| BSZ130N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET |
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| BSZ130N03MS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| BSZ130N03MSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET |
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| BSZ146N10LS5 | INFINEON |
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英飞凌OptiMOS? 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应 |
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