是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 26 weeks |
风险等级: | 5.68 | 雪崩能效等级(Eas): | 55 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.011 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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BSZ110N08NS5 | INFINEON | OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 80V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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BSZ120P03NS3 G | INFINEON | 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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BSZ120P03NS3EG | INFINEON | OptiMOS P3 Power-Transistor |
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BSZ120P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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