是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.31 | 其他特性: | ESD PROTECTED |
雪崩能效等级(Eas): | 73 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 | 湿度敏感等级: | 3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 52 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 160 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ120P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSZ120P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM P3 Power-Transistor | |
BSZ123N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
BSZ123N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSZ123N08NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ12DN20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
BSZ12DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSZ130N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成 | |
BSZ130N03LSG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-MOSFET |