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BSZ120P03NS3EGATMA1

更新时间： 2024-11-05 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	299K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

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BSZ120P03NS3EGATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	7.95	Is Samacsys：	N
其他特性：	ESD PROTECTED	雪崩能效等级（Eas）：	73 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSZ120P03NS3EGATMA1 数据手册

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BSZ120P03NS3E G

OptiMOS^TMP3 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

-30

Features

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• single P-Channel in S3O8

• Qualified according JEDEC¹⁾for target applications

-40

PG-TSDSON-8

• 150 °C operating temperature

• V _GS=25 V, specially suited for notebook applications

• Pb-free; RoHS compliant

• ESD protected

• applications: battery management, load switching

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Marking

Lead free

Yes

Halogen free

Type

Package

Packing

Yes

120P3NE

non-dry

BSZ120P03NS3E G PG-TSDSON-8

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=70 °C

-40.0

Continuous drain current

-40

-11.0

T _A=25 °C²⁾

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

E _AS

-160

Pulsed drain current

I _D=-20 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

V _GS

P _tot

±25

T _A=25 °C

Power dissipation

T _A=25 °C²⁾

2.1

T _j, T _stg

-55 … 150

class 2 (> 2 kV)

260

Operating and storage temperature

ESD class

°C

JESD22-A114 HBM

Soldering temperature

55/150/56

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 2.1

page 1

2009-11-16

12 3 4 5 6 7...9

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