型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BSZ120P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor | |
BSZ120P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
BSZ120P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM P3 Power-Transistor | |
BSZ123N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
BSZ123N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
BSZ123N08NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
BSZ12DN20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流- | |
BSZ12DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor | |
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
BSZ130N03LS G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成 |