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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ110N06NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ110N08NS5 | INFINEON |
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi |
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| BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 80V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSZ120P03NS3 G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSZ120P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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| BSZ120P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSZ120P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM P3 Power-Transistor |
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| BSZ123N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| BSZ123N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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