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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 1.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSZ120P03NS3 G | INFINEON |
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英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足 |
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| BSZ120P03NS3EG | INFINEON |
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OptiMOS P3 Power-Transistor |
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| BSZ120P03NS3EGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| BSZ120P03NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM P3 Power-Transistor |
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| BSZ123N08NS3 G | INFINEON |
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OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| BSZ123N08NS3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| BSZ123N08NS3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.0123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| BSZ12DN20NS3 G | INFINEON |
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英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术，适合在 48V 系统、直流- |
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| BSZ12DN20NS3G | INFINEON |
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OptiMOSTM3 Power-Transistor |
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| BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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