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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS8672S
FDMS8672S PDF预览

FDMS8672S

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 389K
描述
N-Channel PowerTrench SyncFET 30V, 35A, 5mohm

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FDMS8672S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5针数：240
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：337 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：90 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS8672S 数据手册

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February 2007  
FDMS8672S  
tm  
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM  
30V, 35A, 5mΩ  
Features  
General Description  
The FDMS8672S has been designed to minimize losses in  
power conversion application. Advancements in both silicon and  
package technologies have been combined to offer the lowest  
„ Max rDS(on) = 5.0mΩ at VGS = 10V, ID = 17A  
„ Max rDS(on) = 7.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 15A  
r
DS(on) while maintaining excellent switching performance. This  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
and high efficiency  
device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky  
body diode.  
„ SyncFET Schottky Body Diode  
„ MSL1 robust package design  
„ RoHS Compliant  
Application  
„ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Notebook Vcore/ GPU low side switch  
„ Networking Point of Load low side switch  
„ Telecom secondary side rectification  
Pin 1  
S
S
S
G
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
D
Power 56 (Bottom view)  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
35  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
C = 25°C  
T
90  
ID  
A
TA = 25°C  
17  
-Pulsed  
200  
50  
Power Dissipation  
TC = 25°C  
TA = 25°C  
PD  
W
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.5  
50  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
Tape Width  
12mm  
Quantity  
FDMS8672S  
FDMS8672S  
Power 56  
13’’  
3000 units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8672S Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDMS8672S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSZ0904NSIATMA1 INFINEON

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