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FDMS8880

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 285K
描述
N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30 V, 21 A, 8.5 mヘ

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FDMS8880 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.89
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A
最大漏极电流 (ID)：13.5 A最大漏源导通电阻：0.0085 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS8880 数据手册

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June 2008  
FDMS8880  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
30 V, 21 A, 8.5 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 8.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13.5 A  
The FDMS8880 has been designed to minimize losses in power  
conversion application. Advancements in both silicon and  
package technologies have been combined to offer the lowest  
„ Max rDS(on) = 13.0 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10.9 A  
„ Advanced Package and Silicon combination  
rDS(on) while maintaining excellent switching performance.  
for low rDS(on) and high efficiency  
Applications  
„ MSL1 robust package design  
„ RoHS Compliant  
„ Synchronous Buck for Notebook Vcore and Server  
„ Notebook Battery Pack  
„ Load Switch  
Pin 1  
S
G
S
S
S
4
3
2
1
S
S
G
5
6
7
8
D
D
D
D
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
21  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
C = 25 °C  
T
51  
ID  
A
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
13.5  
80  
-Pulsed  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
60  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
42  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.3  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS8880  
FDMS8880  
Power 56  
3000 units  
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8880 Rev.C  
www.fairchildsemi.com  
1
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FDMS8880 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD17552Q3A TI

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