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FDMS8D8N15C

更新时间： 2024-09-26 11:13:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 339K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，150V，85A，8.8mΩ，Power56 封装中

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FDMS8D8N15C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：102 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：85 A最大漏极电流 (ID)：85 A
最大漏源导通电阻：0.0088 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：9.3 pFJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：132 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：340 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：59 ns最大开启时间（吨）：78 ns
Base Number Matches：1

FDMS8D8N15C 数据手册

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FDMS8D8N15C  
N‐Channel Shielded Gate  
POWERTRENCH) MOSFET  
150 V, 85 A, 8.8 mW  
General Description  
www.onsemi.com  
This N-Channel MV MOSFET is produced using  
ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates  
Shielded Gate technology. This process has been optimized to  
minimize on−state resistance and yet maintain superior switching  
performance with best in class soft body diode.  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
8.8 mW @ 10 V  
9.4 mW @ 8 V  
150 V  
85 A  
Features  
• Shielded Gate MOSFET Technology  
• Max r  
• Max r  
= 8.8 mW at V = 10 V, I = 45 A  
GS D  
DS(on)  
S (1, 2, 3)  
= 9.4 mW at V = 8 V, I = 22.5 A  
DS(on)  
GS  
D
• Low Qrr, Soft Recovery Body Diode  
• Lowers Switching Noise/EMI  
• MSL1 Robust Package Design  
• 100% UIL Tested  
G (4)  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D (5, 6, 7, 8)  
Applications  
N-CHANNEL MOSFET  
• Primary DC−DC MOSFET  
• Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC  
• Motor Drive  
Pin 1  
• Solar  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Top  
Bottom  
Symbol  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Drain Current:  
Value  
150  
20  
Unit  
V
Power 56  
(PQFN8)  
CASE 483AF  
V
DS  
V
GS  
V
I
D
A
Continuous, T = 25°C (Note 5)  
85  
54  
12.2  
340  
C
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3 of  
this data sheet.  
Continuous, T = 100°C (Note 5)  
C
Continuous, T = 25°C (Note 1a)  
A
Pulsed (Note 4)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
102  
mJ  
W
AS  
P
Power Dissipation:  
D
T
A
= 25°C  
132  
2.7  
C
T = 25°C (Note 1a)  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
May, 2018 − Rev. 0  
FDMS8D8N15C/D  
12345678

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与FDMS8D8N15C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS9408-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.8mΩ
FDMS9408L-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.7mΩ
FDMS9409-F085 ONSEMI

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 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40 V、65 A、3.2 mΩ
FDMS9409L ONSEMI

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FDMS9409L_F085 ONSEMI

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 		N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDMS9409L-F085 ONSEMI

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FDMS9410-F085 ONSEMI

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FDMS9411-F085 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，30A，6.3mΩ
FDMS9411L-F085 ONSEMI

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 		40V N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET

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