是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 47 weeks | 风险等级: | 1.52 |
雪崩能效等级(Eas): | 1536 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 162 A | 最大漏极电流 (ID): | 162 A |
最大漏源导通电阻: | 0.00295 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 75 pF | JESD-30 代码: | S-PDSO-N3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 156 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 989 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 84 ns |
最大开启时间(吨): | 80 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMT800120DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,120V,128 | |
FDMT800150DC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 150V,99A, | |
FDMT800152DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET,150V,72A, | |
FDMT80040DC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 40V,420A, | |
FDMT80060DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,60V, 292 | |
FDMT80080DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,80V,254A | |
FDMW2512NZ | FAIRCHILD |
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Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDN028N20 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V,6.1A,28mΩ | |
FDN302 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDN302P | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |