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FDMT800100DC

更新时间: 2024-09-26 11:11:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 623K
描述
N 沟道 Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET 100 V、162 A、2.95 mΩ

FDMT800100DC 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:47 weeks风险等级:1.52
雪崩能效等级(Eas):1536 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):162 A最大漏极电流 (ID):162 A
最大漏源导通电阻:0.00295 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):75 pFJESD-30 代码:S-PDSO-N3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):156 W最大脉冲漏极电流 (IDM):989 A
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):84 ns
最大开启时间(吨):80 nsBase Number Matches:1

FDMT800100DC 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.cn  
MOSFET - N-Channel,  
DUAL COOL) 88,  
POWERTRENCH)  
V
r
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
100 V  
2.95 mW @ 10 V  
4.46 mW @ 6 V  
162 A  
100 V, 162 A, 2.95 mW  
FDMT800100DC  
᭢ᫀ  
TDFNW8 8.3 x 8.4, 2P,  
DUAL COOL, OPTION 2  
CASE 507AR  
ꢀꢁN MOSFET Თ✈onsemi ᪫ŔPOWERTRENCH ꢄ  
ൊ⛿ꢅ。ꢃ᪫Ŕ̕
ᑠᤏ٬ꢁ
DUAL COOL ᑠᤏ൬ਫ਼ቝ
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DS(on)  
MARKING DIAGRAM  
ꢂꢃ1  
ꢀ  
ꢆᣠଇȜ r  
ꢆᣠଇȜ r  
= 2.95 mW (V = 10 V、ꢁI = 24 A)  
DS(on)  
DS(on)  
GS  
D
= 4.46 mW (V = 6 V、ꢁI = 19 A)  
GS  
D
ꢆĮ r  
٬
Ŕ᪫̕᎕  
DS(on)  
ꢆ⛻⛰Ãꢃijlᥡ
ٱ
ᑠᤏ, ✃ꢇᨿቂ૭ᚎᙱ  
8 x 8 mm MLP ᎕  
MSL1 ᄚɅ෡᎕ᚎᙱ  
800100 AWLYW  
100% ট᪗ UIL ᚥ  
800100 = Device Code  
ꢆꢀ
Ö⛽
؋
,ꢈꢉ,
׶
ר
RoHS ꢊꢋ  
A
= Assembly Location  
WL  
Y
W
= Wafer Lot  
= Year  
= Work Week  
✈  
OringFET / ៯ᩍრ͓  
׬
ꢌꢍꢎ  
DCDC ꢏ  
ELECTRICAL CONNECTION  
G
S
D
D
D
D
S
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 7 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
November, 2022 Rev. 2  
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