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FDN304P

更新时间： 2024-09-17 17:15:43

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
3页	819K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.4A;Vgs(th)(V):±8;漏源导通电阻:52mΩ@-4.5V

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FDN304P 数据手册

UMW FDN304P

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

UMW

P-Channel 20-V(D-S) MOSFET

FDN304P

V(BR)DSS

RDS(on)MAX

52mΩ@ -4.5V

70mΩ@ -2.5V

100mΩ@ -1.8V

-20 V

-2.4A

FEATURE

APPLICATION

※ Battery protection

※ Load switch

● TrenchFET Power MOSFET

● Supper high density cell design

※Battery management

MARKING

Equivalent Circuit

SOT–23

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Maximum ratings ( Ta=25℃ unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Value

-20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

VDS

VGS

±8

Continuous Drain Current

Pulsed Diode Curren

-2.4

IDM

-10

Power Dissipation

1.1

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤10s)

Operating Junction

RθJA

250

150

Storage Temperature

TSTG

-55~+150

℃

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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与FDN304P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN304P (KDN304P)	KEXIN	获取价格	P-Channel MOSFET
FDN304P_01	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDN304P_NBAD003A	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDN304P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304P-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDN304PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304P-NDAD003A	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDN304PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304PZ	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET