FDN304P_NL

更新时间： 2024-09-16 13:02:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
5页	106K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN304P_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.4 A
最大漏极电流 (ID)：	2.4 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN304P_NL 数据手册

January 2001

FDN304P

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses

Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.

It has been optimized for battery power management

applications.

• –2.4 A, –20 V. R_DS(ON)= 52 mΩ @ V_GS= –4.5 V

R_DS(ON)= 70 mΩ @ V_GS= –2.5 V

_DS(ON)= 100 mΩ @ V_GS= –1.8 V

• Fast switching speed

Applications

• High performance trench technology for extremely

• Battery management

• Load switch

low R_DS(ON)

• SuperSOT^TM-3 provides low R_DS(ON)and 30% higher

power handling capability than SOT23 in the same

footprint

• Battery protection

SuperSOT^TM-3

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–20

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

±8

–2.4

(Note 1a)

–10

P_D

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

0.46

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

304

FDN304P

7’’

8mm

3000 units

FDN304P Rev C(W)

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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FDN304P_NL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDN304PZ_NL	FAIRCHILD	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304P	FAIRCHILD	功能相似	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

与FDN304P_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN304PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304P-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDN304PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304P-NDAD003A	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDN304PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304PZ	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDN304PZ	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3
FDN304PZ	ONSEMI	获取价格	P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-2.4A，5
FDN304PZ_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN306P	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3

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