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FDN306P_NL

更新时间： 2024-11-13 20:45:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 140K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN306P_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDN306P_NL 数据手册

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December 2001  
FDN306P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
It has been optimized for battery power management  
applications.  
• –2.6 A, –12 V. RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V  
DS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –1.8 V  
R
• Fast switching speed  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Battery management  
• Load switch  
• SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher  
power handling capability than SOT23 in the same  
footprint  
• Battery protection  
D
D
S
S
G
SuperSOTTM-3  
G
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–12  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
8
(Note 1a)  
–2.6  
–10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
0.46  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
306  
FDN306P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDN306P Rev D (W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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与FDN306P_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN306PD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN306P-F095 FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDN306P-G FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDN308P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDN308P TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT-3
FDN308P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-1.5A，1
FDN308P UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源导通电阻:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-
FDN308P_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN327N FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET
FDN327N ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，2A，72mΩ

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