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FDN327N PDF预览

FDN327N

更新时间： 2024-09-17 11:12:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 273K
描述
N 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，2A，72mΩ

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FDN327N 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.99
Samacsys Description：FDN327N N-Channel MOSFET, 2 A, 20 V PowerTrench, 3-Pin SOT-23 ON Semiconductor配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.46 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDN327N 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
D
S
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH), 1.8 Vgs  
Specified  
20 V, 2 A, 70 mW  
G
FDN327N  
D
General Description  
G
This 20 V N−Channel MOSFET uses onsemi’s high voltage  
POWERTRENCH process. It has been optimized for power  
management applications.  
S
SOT−23/SUPERSOTt−23, 3 LEAD, 1.4x2.9  
CASE 527AG  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• 2 A, 20 V  
♦ R  
♦ R  
♦ R  
= 70 mꢀ @ V = 4.5 V  
GS  
DS(on)  
DS(on)  
DS(on)  
= 80 mꢀ @ V = 2.5 V  
GS  
327M  
= 120 mꢀ @ V = 1.8 V  
GS  
• Low Gate Charge (4.5 nC typical)  
• Fast Switching Speed  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
• This Device is Pb−Free and Halogen Free  
327  
M
= Specific Device Code  
= Assemble Operation Month  
DS(on)  
ORDERING INFORMATION  
Applications  
• Load Switch  
• Battery Protection  
• Power Management  
†
Device  
Package  
Shipping  
FDN327N  
SOT−23−3  
3000 /  
(Pb−Free/Halide Free) Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
A
T = 25°C unless otherwise noted.  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
V
V
Drain−Source Voltage  
20  
8
DSS  
GSS  
V
Gate−Source Voltage  
V
I
D
Drain Current – Continuous (Note 1a)  
Drain Current – Pulsed  
2
A
8
P
D
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
0.5  
W
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1b)  
0.46  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2023 − Rev. 5  
FDN327N/D  
123456

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FDN327N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI2302DS,215 NXP

功能相似

 N-channel TrenchMOS logic level FET TO-236 3-Pin
SI2302DS NXP

功能相似

 N-channel enhancement mode field-effect transistor

与FDN327N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN327N (KDN327N) KEXIN

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 		N-Channel MOSFET
FDN327N_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN327ND87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN327NL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN327NS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FDN335 FAIRCHILD

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 		N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，20V，1.7A，70m

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