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FDN304PL99Z

更新时间： 2024-11-13 14:37:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 212K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN304PL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：0.052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDN304PL99Z 数据手册

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June 2000  
PRELIMINARY  
FDN304P  
P-Channel 1.8V Specified PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses  
Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process.  
It has been optimized for battery power management  
applications.  
• –2.4 A, –20 V. RDS(ON) = 0.052 Ω @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 0.070 Ω @ VGS = –2.5 V  
DS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = –1.8 V  
R
• Fast switching speed  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Battery management  
• Load switch  
• SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher  
power handling capability than SOT23 in the same  
footprint  
• Battery protection  
D
D
S
S
G
SuperSOTTM-3  
G
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
–20  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
V
A
8
(Note 1a)  
–2.4  
–10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
0.46  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.304  
FDN304P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDN304P Rev B(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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与FDN304PL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN304P-NDAD003A FAIRCHILD

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 		Transistor
FDN304PS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN304PZ FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDN304PZ TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT-3
FDN304PZ ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-2.4A，5
FDN304PZ_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN306P TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT-3
FDN306P FAIRCHILD

获取价格

 		P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDN306P ONSEMI

获取价格

 		P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-12V，-2.6A，4
FDN306P UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-12V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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