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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 1.51 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1093 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 99 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 99 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 30 pF |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 156 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 561 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 85 ns | 最大开启时间（吨）： | 79 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMT800152DC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET，150V，72A， |
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| FDMT80040DC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 40V，420A， |
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| FDMT80060DC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，60V， 292 |
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| FDMT80080DC | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，80V，254A |
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| FDMW2512NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDN028N20 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V，6.1A，28mΩ |
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| FDN302 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDN302P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDN302P | TI |
获取价格 |
Contains all support circuitry needed for the ADS1148/ADS1248 |
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| FDN302P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 2.5V 指定 PowerTrench® MOSFET -20V，-2.4A，5 |
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