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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SSOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 2.99 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167127 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SSOT-3L | Samacsys Released Date： | 2015-04-13 16:43:15 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTR1P02LT3G | ONSEMI |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| NTR1P02LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDN302P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDN302PD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDN302P-F095 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FDN302PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDN302PS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDN304P | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT-3 |
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| FDN304P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
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| FDN304P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，-20V，-2.4A，5 |
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| FDN304P | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| FDN304P (KDN304P) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
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