是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 26 weeks |
风险等级: | 2.1 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
端子面层: | Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMT800150DC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 150V,99A, | |
FDMT800152DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET,150V,72A, | |
FDMT80040DC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 40V,420A, | |
FDMT80060DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,60V, 292 | |
FDMT80080DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,80V,254A | |
FDMW2512NZ | FAIRCHILD |
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Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDN028N20 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V,6.1A,28mΩ | |
FDN302 | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDN302P | FAIRCHILD |
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P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDN302P | TI |
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Contains all support circuitry needed for the ADS1148/ADS1248 |