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FDMT800120DC

更新时间： 2024-11-14 11:12:51

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安森美 - ONSEMI		/
页数	文件大小	规格书
9页	764K
描述
N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，120V，128A，4.2mΩ

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FDMT800120DC 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	2.1	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
端子面层：	Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

FDMT800120DC 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.cn

MOSFET – N-Channel,

DUALꢀCOOL⁾,

POWERTRENCH⁾

MAX

DS(on)

120 V

4.2 mꢀ @ 10 V

6.4 mꢀ @ 6 V

128 A

120 V, 128 A, 4.2 mW

FDMT800120DC

ꢀᫀ

Top

Bottom

ꢀꢁN ꢂꢀꢁMOSFET ꢁꢃꢁonsemi ꢄꢂꢅꢁPOWERTRENCH ꢆ

ꢃꢇꢈ。ꢄꢂ

ꢅ̕ᑠᤏ٬ꢁ

DUAL COOL ෡ꢄᑠᤏ൬ꢅꢆ

，

TDFNW8 8.3 x 8.4, 2P,

DUAL COOL, OPTION 2

CASE 507AR

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DS(on)

⑙ꢁ

MARKING DIAGRAM

•ꢉᣠଇȜr

•ꢉĮ r

= 4.2 mꢀ (V = 10 V, I = 20 A)

GS D

DS(on)

= 6.4 mꢀ (V = 6 V, I = 16 A)

GS D

ꢎꢊꢅꢄꢂ̕෡ꢄ

DS(on)

•ꢉꢋꢌꢍꢄꢂꢎꢏᥡꢐᑠᤏ，ꢑꢒꢏꢓꢔꢐꢑ

•ꢉꢒꢕ 8 x 8 mm MLP ෡ꢄ

•ꢉMSL1 ꢖꢗ෡ꢄꢐꢑ

•ꢉ100% ꢘꢈ UIL ꢙꢓ

•ꢉꢚ

RoHS ꢛꢜ

800120

= Device Code

= Assembly Location

= Wafer Lot

ꢂ✈

•ꢉOringFET / ꢔꢕრ͓

•ꢉ

ꢝꢞꢟ

•ꢉDC−DC ꢖꢠ

= Year

= Work Week

ELECTRICAL CONNECTION

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering, marking and shipping information on

page 7 of this data sheet.

Publication Order Number:

January, 2023 − Rev. 3

FDMT800120DCCN/D

12 3 4 5 6 7...9

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