是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 16 weeks | 风险等级: | 5.33 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 108 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.016 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0085 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 375 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS9600S_08 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDMS9620S | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V | |
FDMS9620S | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET Q1: 30V, 1 | |
FDMS9620S_07 | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDMT1D3N08B | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,80V,164A | |
FDMT800100DC | ONSEMI |
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N 沟道 Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET 100 V、 | |
FDMT800120DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,120V,128 | |
FDMT800150DC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 150V,99A, | |
FDMT800152DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET,150V,72A, | |
FDMT80040DC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 40V,420A, |