是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.6 | 雪崩能效等级(Eas): | 123 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0025 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 126 ns |
最大开启时间(吨): | 40 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS9409-F085 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40 V、65 A、3.2 mΩ | |
FDMS9409L | ONSEMI |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
FDMS9409L_F085 | ONSEMI |
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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
FDMS9409L-F085 | ONSEMI |
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N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 40V | |
FDMS9410-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,50A,4.4mΩ | |
FDMS9410L-F085 | ONSEMI |
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40 V N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET | |
FDMS9411-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,30A,6.3mΩ | |
FDMS9411L-F085 | ONSEMI |
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40V N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET | |
FDMS9600S | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDMS9600S | ONSEMI |
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双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V |