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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDMS9600S
FDMS9600S PDF预览

FDMS9600S

更新时间： 2024-09-25 03:36:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 329K
描述
Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

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FDMS9600S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.35
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：108 A最大漏极电流 (ID)：0.016 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：375 pFJESD-30 代码：R-PDSO-N8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS9600S 数据手册

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June 2007  
FDMS9600S  
tm  
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET  
Q1: 30V, 32A, 8.5mΩ Q2: 30V, 30A, 5.5mΩ  
Features  
General Description  
Q1: N-Channel  
This device includes two specialized MOSFETs in a unique dual  
Power 56 package. It is designed to provide an optimal  
Synchronous Buck power stage in terms of efficiency and PCB  
utilization. The low switching loss "High Side" MOSFET is com-  
plemented by a Low Conduction Loss "Low Side" SyncFET.  
„ Max rDS(on) = 8.5mΩ at VGS = 10V, ID = 12A  
„ Max rDS(on) = 12.4mΩ at VGS = 4.5V, ID = 10A  
Q2: N-Channel  
„ Max rDS(on) = 5.5mΩ at VGS = 10V, ID = 16A  
„ Max rDS(on) = 7.0mΩ at VGS = 4.5V, ID = 14A  
Applications  
Synchronous Buck Converter for:  
„ Low Qg high side MOSFET  
„ Notebook System Power  
„ Low rDS(on) low side MOSFET  
„ Thermally efficient dual Power 56 package  
„ Pinout optimized for simple PCB design  
„ RoHS Compliant  
„ General Purpose Point of Load  
G1  
D1  
Q2  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D1  
S1/D2  
G2  
S2  
S2  
Q1  
S2  
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Q1  
30  
Q2  
30  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±20  
32  
±20  
30  
Drain Current  
-Continuous (Package limited) TC = 25°C  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
T
C = 25°C  
55  
108  
16  
ID  
A
TA = 25°C  
(Note 1a)  
12  
-Pulsed  
60  
60  
Power Dissipation for Single Operation  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
1.0  
PD  
W
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
50  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
120  
°C/W  
3
1.2  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13”  
Tape Width  
Quantity  
3000 units  
FDMS9600S  
FDMS9600S  
Power 56  
12mm  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS9600S Rev.D  
www.fairchildsemi.com  
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与FDMS9600S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS9600S_08 FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDMS9620S ONSEMI

获取价格

 		双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V
FDMS9620S FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET Q1: 30V, 1
FDMS9620S_07 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDMT1D3N08B ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，80V，164A
FDMT800100DC ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 Dual Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET 100 V、
FDMT800120DC ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，120V，128
FDMT800150DC ONSEMI

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 		N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 150V，99A，
FDMT800152DC ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，双 Cool™ 88 PowerTrench® MOSFET，150V，72A，
FDMT80040DC ONSEMI

获取价格

 		N 沟道双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET 40V，420A，

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