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CSD17552Q3A

更新时间： 2024-11-13 12:25:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
12页 1270K
描述
30V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD17552Q3A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：0.91
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.0081 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：36 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：84 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD17552Q3A 数据手册

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CSD17552Q3A  
www.ti.com  
SLPS387 –SEPTEMBER 2012  
30V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD17552Q3A  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
Drain to Source Voltage  
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
VDS  
Qg  
30  
9.0  
2.3  
V
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.5  
6.5  
5.5  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD17552Q3A  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
APPLICATIONS  
SON 3.3-mm × 3.3-  
mm Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
2500  
•
Point of load Synchronous Buck in  
Networking, Telecom and Computing Systems  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
•
Optimized for Control FET Applications  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
30  
DESCRIPTION  
The NexFET power MOSFET has been designed to  
minimize losses in power conversion applications.  
Gate to Source Voltage  
±20  
60  
V
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current, Silicon Limitted  
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
A
ID  
74  
A
Figure 1. Top View  
15  
A
IDM  
PD  
TJ,  
84  
A
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
2.6  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
45  
°C  
TSTG Temperature Range  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 30A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA  
=
48°C/W on  
a
1-inch2 (6.45-cm2),  
2-oz. (0.071-mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick  
FR4 PCB.  
D
D
P0093-01  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
18  
16  
14  
12  
10  
8
10  
TC = 25°C Id = 11A  
TC = 125ºC Id = 11A  
ID = 11A  
VDS =15V  
8
6
4
2
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
0
5
10  
15  
20  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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CSD17552Q3A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMS8880 FAIRCHILD

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