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CSD17573Q5BT

更新时间： 2024-11-14 11:12:03

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	722K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DNK \| 8 \| -55 to 150

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CSD17573Q5BT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSON-8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	289 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	43 A	最大漏源导通电阻：	0.00145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	390 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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CSD17573Q5B

ZHCSCO7B –JUNE 2014–REVISED APRIL 2017

CSD17573Q5B 30V N 通道 NexFET™功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

低 Q_g和 Q_gd

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

超低导通电阻 R_DS(on)

低热阻

漏源极电压

Q_g

栅极电荷总量 (4.5V)

栅极电荷（栅极到漏极）

雪崩额定值

Q_gd

11.9

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.4

1.19

0.84

无铅引脚镀层

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

符合 RoHS 环保标准

无卤素

SON 5mm × 6mm 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

包装介质

器件

数量

封装

运输

2 应用范围

CSD17573Q5B

CSD17573Q5BT

2500 13 英寸卷带

250 7 英寸卷带

SON

卷带封

装

5.00-mm × 6.00-mm

塑料封装

•

用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降

压转换器

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

•

已针对同步 FET 应用进行优化

绝对最大额定值

3 说明

T_A= 25°C

值

单位

此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率

MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

V_DS漏源极电压

V_GS栅源电压

±20

100

持续漏极电流（受封装限制）

俯视图

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

332

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

400

3.2

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

195

T_J，工作结温，

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 76，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

289

(1) R_θJA= 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)

印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司铜焊盘上测得的典型

值。

P0093-01

(2) 最大 R_θJC= 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

4.5

T_C= 25°C,I _D= 35A

T_C= 125°C,I _D= 35A

3.5

2.5

1.5

I_D= 35A

V_DS= 15V

0.5

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120

Q_g- Gate Charge (nC)

V_GS- Gate-to- Source Voltage (V)

G001

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS492

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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