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CSD17575Q3

更新时间： 2024-09-26 11:13:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网 PC 开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	782K
描述
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD17575Q3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSON-8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.66	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	725508
Samacsys Pin Count：	8	Samacsys Part Category：	Transistor
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	CSD16327
Samacsys Released Date：	2017-06-10 09:54:27	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	27 A
最大漏源导通电阻：	0.0032 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	204 pF	JESD-30 代码：	S-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD17575Q3 数据手册

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CSD17575Q3

ZHCSCP7A –JUNE 2014–REVISED AUGUST 2014

CSD17575Q3 30V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管

(MOSFET)

1 特性

产品概要

•

低 Q_g和 Q_gd

低 R_DS(on)

低热阻

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

漏源电压

Q_g

栅极电荷总量 (4.5V)

栅漏栅极电荷

雪崩级

Q_gd

5.4

V_GS= 4.5 V

V_GS= 10V

2.6

1.9

无铅端子镀层

符合 RoHS 标准

无卤素

R_DS(on)

V_th

漏源导通电阻

阀值电压

mΩ

1.4

小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封

装

。

订购信息⁽¹⁾

数量

器件

介质

封装

出货

卷带封装

2 应用

CSD17575Q3

CSD17575Q3T

13 英寸卷带

2500

250

SON 3.3mm x

3.3mm

塑料封装

•

用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压

转换器

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

•

已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

最大绝对额定值

3 说明

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET™ 功率

MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低

功率损耗。

栅源电压

±20

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），

T_C= 25°C 时测得

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

I_D

182

顶视图

240

2.8

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

108

T_J，运行结温和

T_stg

-55 至 150

°C

储存温度范围

雪崩能量，单脉冲

I_D= 48，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

115

(1) R_θJA= 45°C/W，这是在一块厚度为 0.060 英寸的 FR4 印刷电

路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司铜过渡垫片上测得的典型

值。

P0095-01

(2) 最大 R_θJC= 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

English Data Sheet: SLPS489

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD17575Q3T	TI	功能相似	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™

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CSD17576Q5B	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17576Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17577Q3A	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17577Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17577Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17577Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
CSD17578Q3A	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™
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