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CSD17585F5T

更新时间： 2024-09-26 11:12:31

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德州仪器 - TI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1833K
描述
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJK \| 3 \| -55 to 150

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CSD17585F5T 数据手册

CSD17585F5

ZHCSFM2C –OCTOBER 2016 –REVISED JUNE 2022

CSD17585F5 30V N 沟道FemtoFET™ MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

漏源电压

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

Q_g

1.9

栅极电荷总量(4.5V)

Q_gd

0.39

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.3

– 1.53mm x 0.77mm

• 薄型封装

R_DS(on)

V_GS(th)

mΩ

阈值电压

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

器件信息

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

器件⁽¹⁾

数量

介质

封装

配送

CSD17585F5

3000

Femto

1.53mm × 0.77mm

7 英寸卷带

卷带包装

CSD17585F5T

250

无引线SMD

• 符合RoHS

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

2 应用

• 针对工业负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

3 说明

漏源电压

V_GS

I_D

I_DM

P_D

+20

栅源电压

该 30V、22mΩ N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术经

过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移

动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

持续漏极电流⁽¹⁾

持续漏极电流⁽²⁾

脉冲漏极电流^{(1) (3)}

功率耗散⁽¹⁾

3.6

5.9

0.5

1.4

。

功率耗散⁽²⁾

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

V_(ESD)

°C

0.36 mm

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温、

贮存温度

(1)

R_θJA= 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。

(2) 覆铜面积最大时的典型R_θJA= 90°C/W。

(3) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

0.77 mm

1.53 mm

图3-1. 典型器件尺寸

图3-2. 顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS610

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CSD1833E	CDIL	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR
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