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CSD18511KTTT

更新时间： 2024-09-26 11:14:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
15页 986K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | KTT | 3 | -55 to 175

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CSD18511KTTT 数据手册

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CSD18511KTT  
SLPS684 –JULY 2017  
CSD18511KTT 40-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
1 Features  
Product Summary  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Qg and Qgd  
TA = 25°C  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Low RDS(ON)  
VDS  
Qg  
Drain-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate-to-Drain  
40  
63.9  
9.7  
Low-Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
nC  
nC  
Qgd  
VGS = 4.5 V  
VGS = 10 V  
1.8  
3.2  
2.1  
Lead-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
RDS(on) Drain-to-Source On-Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
mΩ  
V
Halogen Free  
D2PAK Plastic Package  
Device Information(1)  
DEVICE  
QTY  
MEDIA  
PACKAGE  
SHIP  
2 Applications  
CSD18511KTT  
CSD18511KTTT  
500  
50  
Tape  
and  
Reel  
D2PAK  
Plastic Package  
13-Inch Reel  
•
•
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Motor Control  
(1) For all available packages, see the orderable addendum at  
the end of the data sheet.  
3 Description  
This 40-V, 2.1-mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™  
power MOSFET is designed to minimize losses in  
power conversion applications.  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
40  
Drain (Pin 2)  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
V
Continuous Drain Current (Package Limited)  
110  
Continuous Drain Current (Silicon Limited),  
TC = 25°C  
194  
137  
ID  
A
Continuous Drain Current (Silicon Limited),  
TC = 100°C  
Gate  
(Pin 1)  
IDM  
PD  
Pulsed Drain Current(1)  
400  
188  
A
Power Dissipation  
W
TJ,  
Tstg  
Operating Junction,  
Storage Temperature  
–55 to 175  
156  
°C  
Source (Pin 3)  
Avalanche Energy, Single Pulse  
ID = 56 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
EAS  
mJ  
(1) Max RθJC = 0.8°C/W, pulse duration ≤ 100 μs, duty cycle ≤  
1%.  
RDS(on) vs VGS  
Gate Charge  
10  
10  
ID = 100 A  
VDS = 20 V  
TC = 25°C, I D = 100 A  
TC = 125°C, I D = 100 A  
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
 
 
 
 
 
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