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CSD18514Q5A

更新时间： 2024-09-26 11:12:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	673K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18514Q5A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSONP-8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.65	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	55 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.0079 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	138 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-N8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	237 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

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CSD18514Q5A

ZHCSFY5A –NOVEMBER 2016–REVISED JANUARY 2017

CSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体

管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

低 R_DS(ON)

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

雪崩额定值

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷（栅极到漏极）

逻辑电平

Q_gd

5.0

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.8

6.0

4.1

无铅引脚镀层

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

符合 RoHS 环保标准

无卤素

小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

器件

包装介质

数量

封装

运输

2 应用范围

CSD18514Q5A

CSD18514Q5AT

13 英寸卷带

7 英寸卷带

2500

SON

5.00mm × 6.00mm

塑料封装

卷带封

装

•

直流 - 直流转换

次级侧同步整流

电池电机控制

250

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

3 说明

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、

NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中

大大降低损耗。

栅源电压

±20

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

俯视图

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

237

3.1

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

T_J，工作结温，

T_stg

-55 至 150

°C

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 33A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

(1) R_θJA= 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)

印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司铜焊盘上测得的典型

值。

P0093-01

(2) 最大 R_θJC= 1.7°C/W，脉冲持续时间

≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS625

12 3 4 5 6 7...14

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CSD18514Q5A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18513Q5A	TI	类似代替	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18514Q5AT	TI	类似代替	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18504Q5A	TI	功能相似	40V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs

与CSD18514Q5A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD18514Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18531Q5A	TI	获取价格	60V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD18531Q5A_12	TI	获取价格	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati
CSD18531Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18532KCS	TI	获取价格	60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18532NQ5B	TI	获取价格	60-V, N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD18532NQ5BT	TI	获取价格	N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD18532Q5B	TI	获取价格	60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18532Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18533KCS	TI	获取价格	60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

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