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CSD18531Q5A

更新时间： 2024-11-13 12:55:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
10页 699K
描述
60V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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CSD18531Q5A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.07其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：224 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.0058 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：14 pFJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：156 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：122 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD18531Q5A 数据手册

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CSD18531Q5A  
www.ti.com  
SLPS321A –JUNE 2012–REVISED JUNE 2012  
60V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD18531Q5A  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Typical Values at 25°C  
unless otherwise stated  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
60  
18  
V
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Logic Level  
Qgd  
5.9  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
4.4  
3.5  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
1.8  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
Device  
CSD18531Q5A  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
•
•
•
DC-DC Conversion  
2500  
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Battery Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
60  
±20  
V
to minimize losses in power conversion applications.  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
100  
134  
ID  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
A
Figure 1. Top View  
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
19  
122  
3.1  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
TJ,  
A
W
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
224  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 67A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
D
EAS  
mJ  
D
(1) Typical RθJA = 40°C/W on a 1-inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06-  
inch thick FR4 PCB.  
P0093-01  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
12  
10  
8
10  
TC = 25°C Id = 22A  
TC = 125ºC Id = 22A  
ID = 22A  
VDS = 30V  
8
6
4
2
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30 33  
Qg - Gate Charge - nC (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage - V  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
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CSD18531Q5A 替代型号

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