5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD18537NKCS
CSD18537NKCS PDF预览

CSD18537NKCS

更新时间： 2024-09-25 12:53:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 483K
描述
60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSD18537NKCS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PACKAGE-3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.71Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：55 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：54 A
最大漏极电流 (ID)：34 A最大漏源导通电阻：0.018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5.2 pF
JEDEC-95代码：TO-220JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：91 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD18537NKCS 数据手册

 浏览型号CSD18537NKCS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD18537NKCS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD18537NKCS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD18537NKCS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD18537NKCS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD18537NKCS的Datasheet PDF文件第7页 
CSD18537NKCS  
www.ti.com  
SLPS390 –JUNE 2013  
60-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD18537NKCS  
PRODUCT SUMMARY  
1
FEATURES  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (10V)  
Gate Charge Gate to Drain  
60  
14  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
2.3  
VGS = 6V  
14  
11  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
VGS = 10V  
3.0  
Halogen Free  
TO-220 Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
Tube  
APPLICATIONS  
TO-220 Plastic  
Package  
CSD18537NKCS  
Tube  
50  
•
•
High Side Synchronous Buck Converter  
Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
60  
V
V
Gate to Source Voltage  
±20  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
50  
54  
34  
Pin Out  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
Drain (Pin 2)  
ID  
A
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 100°C  
IDM  
PD  
TJ,  
Pulsed Drain Current (1)  
91  
79  
A
Power Dissipation  
W
Operating Junction and Storage  
Gate  
(Pin 1)  
–55 to 150  
55  
°C  
TSTG Temperature Range  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 33A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
Source (Pin 3)  
(1) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
36  
10  
TC = 25°C Id = 25A  
TC = 125ºC Id = 25A  
ID = 25A  
VDS = 30V  
9
32  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
28  
24  
20  
16  
12  
8
4
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
3
6
9
12  
15  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与CSD18537NKCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD18537NQ5A TI

获取价格

 		60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18537NQ5A_14 TI

获取价格

 		60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD18537NQ5AT TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18541F5 TI

获取价格

 		采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、6
CSD18541F5T TI

获取价格

 		采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、6
CSD18542KCS TI

获取价格

 		采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFE
CSD18542KTT TI

获取价格

 		采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18542KTTT TI

获取价格

 		采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18543Q3A TI

获取价格

 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18543Q3AT TI

获取价格

 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™

与CSD18537NKCS相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证