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CSD18532NQ5BT

更新时间： 2024-09-26 02:58:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1334K
描述
N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD18532NQ5BT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：VSON-8
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.64其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：360 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.0044 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：21 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-N8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD18532NQ5BT 数据手册

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CSD18532NQ5B  
www.ti.com  
SLPS440 –JUNE 2013  
60-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD18532NQ5B  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (10V)  
Gate Charge Gate to Drain  
60  
49  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
7.9  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 6V  
3.5  
2.7  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
VGS = 10V  
Halogen Free  
2.8  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
•
•
•
•
DC-DC Conversion  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
CSD18532NQ5B  
2500  
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Isolated Converter Primary Side Switch  
Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
60  
DESCRIPTION  
Gate to Source Voltage  
±20  
V
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
100  
163  
ID  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
A
Top View  
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
22  
135  
3.2  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
TJ,  
A
W
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
360  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 85A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Typical RθJA = 40°C/W on a 1-inch2 , 2-oz. Cu pad on a 0.06-  
inch thick FR4 PCB.  
D
D
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
P0093-01  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
16  
14  
12  
10  
8
10  
TC = 25°C Id = 25A  
TC = 125ºC Id = 25A  
ID = 25A  
VDS = 30V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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CSD18532NQ5BT 替代型号

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