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CSD18535KCS

更新时间： 2024-11-14 01:18:07
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德州仪器 - TI /
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11页 338K
描述
CSD18535KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD18535KCS 数据手册

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CSD18535KCS  
SLPS531 –MARCH 2015  
CSD18535KCS 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
1 Features  
Product Summary  
1
•
•
•
•
•
•
•
Ultra-Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate-to-Drain  
60  
63  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Pb-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
Qgd  
10.4  
VGS = 4.5 V  
VGS = 10 V  
1.9  
2.3  
1.6  
RDS(on) Drain-to-Source On-Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
TO-220 Plastic Package  
Ordering Information(1)  
2 Applications  
Device  
CSD18535KCS  
Package  
Media  
Qty  
50  
Ship  
•
•
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Motor Control  
TO-220 Plastic Package  
Tube  
Tube  
(1) For all available packages, see the orderable addendum at  
the end of the data sheet.  
3 Description  
This 60 V, 1.6 mΩ, TO-220 NexFET™ power  
MOSFET is designed to minimize losses in power  
conversion applications.  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
60  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
V
SPACE  
Continuous Drain Current (Package limited)  
200  
Drain (Pin 2)  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
279  
197  
ID  
A
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 100°C  
IDM  
PD  
Pulsed Drain Current (1)  
400  
300  
A
Gate  
(Pin 1)  
Power Dissipation  
W
TJ,  
Tstg  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
–55 to 175  
616  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 111 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
Source (Pin 3)  
EAS  
mJ  
(1) Max RθJC = 0.5°C/W, pulse duration ≤100 μs, duty cycle ≤1%  
.
RDS(on) vs VGS  
Gate Charge  
5
10  
TC = 25°C, I D = 100 A  
TC = 125°C, I D = 100 A  
ID = 100 A  
VDS = 30 V  
4.5  
9
4
3.5  
3
8
7
6
5
4
3
2
1
0
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
 
 
 
 
 
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