Datasheet > CSD18541F5T

CSD18541F5T

更新时间： 2024-11-29 11:14:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1947K
描述
采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJK \| 3 \| -55 to 150

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD18541F5T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.78	Samacsys Description：	TEXAS INSTRUMENTS - CSD18541F5T - MOSFET, N-CH, 60V, 2.2A, PICOSTAR-3
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	2.2 A	最大漏源导通电阻：	0.075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	10.5 pF
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

CSD18541F5T 数据手册

CSD18541F5

ZHCSF08B –MAY 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD18541F5 60V N 沟道FemtoFET™ MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

漏源电压

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

Q_g

栅极电荷总量(10V)

Q_gd

1.6

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.75

– 1.53mm × 0.77mm

• 薄型封装

R_DS(on)

V_GS(th)

mΩ

阈值电压

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

• 无铅且无卤素

• 符合RoHS

器件信息

介质

器件

数量

封装

配送

CSD18541F5

3000

Femto

1.53mm × 0.77mm

卷带

包装

7 英寸卷带

2 应用

CSD18541F5T

250

无引线SMD

• 针对工业负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订

购产品附录。

3 说明

绝对最大额定值

该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术经

过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业

负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准

小信号MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

I_D

漏源电压

±20

2.2

栅源电压

持续漏极电流

脉冲漏极电流(1)(2)

功率耗散

I_DM

P_D

500

0.36 mm

T_J、

T_stg

工作结温，

贮存温度

–55 至

150

°C

雪崩能量，单脉冲

I_D= 12.8A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

8.2

0.77 mm

1.53 mm

典型器件尺寸

顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS571

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

CSD18541F5T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18541F5	TI	类似代替	采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、6

与CSD18541F5T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD18542KCS	TI	获取价格	采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFE
CSD18542KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18542KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18543Q3A	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18543Q3AT	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18563Q5A	TI	获取价格	60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18563Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD19501KCS	TI	获取价格	CSD19501KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD19502Q5B	TI	获取价格	80 V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD19502Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™

与CSD18541F5T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD18541F5T

CSD18541F5T 技术参数

CSD18541F5T 数据手册

CSD18541F5T 替代型号

与CSD18541F5T相关器件

与CSD18541F5T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD18541F5T

CSD18541F5T 技术参数

CSD18541F5T 数据手册

CSD18541F5T 替代型号

与CSD18541F5T相关器件

与CSD18541F5T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？