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CSD18541F5

更新时间： 2024-11-30 11:14:43

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德州仪器 - TI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1947K
描述
采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18541F5 数据手册

CSD18541F5

ZHCSF08B –MAY 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD18541F5 60V N 沟道FemtoFET™ MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

漏源电压

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

Q_g

栅极电荷总量(10V)

Q_gd

1.6

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.75

– 1.53mm × 0.77mm

• 薄型封装

R_DS(on)

V_GS(th)

mΩ

阈值电压

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

• 无铅且无卤素

• 符合RoHS

器件信息

介质

器件

数量

封装

配送

CSD18541F5

3000

Femto

1.53mm × 0.77mm

卷带

包装

7 英寸卷带

2 应用

CSD18541F5T

250

无引线SMD

• 针对工业负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订

购产品附录。

3 说明

绝对最大额定值

该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术经

过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业

负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准

小信号MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

I_D

漏源电压

±20

2.2

栅源电压

持续漏极电流

脉冲漏极电流(1)(2)

功率耗散

I_DM

P_D

500

0.36 mm

T_J、

T_stg

工作结温，

贮存温度

–55 至

150

°C

雪崩能量，单脉冲

I_D= 12.8A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

8.2

0.77 mm

1.53 mm

典型器件尺寸

顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS571

12 3 4 5 6 7...14

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CSD18541F5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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