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CSD18537NQ5A_14

更新时间： 2024-11-29 02:58:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
12页 1361K
描述
60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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CSD18537NQ5A_14 数据手册

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CSD18537NQ5A  
www.ti.com  
SLPS391 –JUNE 2013  
60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD18537NQ5A  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (10V)  
Gate Charge Gate to Drain  
60  
14  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
2.3  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 6V  
13  
10  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
VGS = 10V  
Halogen Free  
3.0  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
•
•
High Side Synchronous Buck Converter  
Motor Control  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
CSD18537NQ5A  
2500  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
60  
Gate to Source Voltage  
±20  
V
Top View  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
50  
62  
ID  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
A
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
11  
72  
IDM  
PD  
TJ,  
A
3.2  
W
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
55  
°C  
D
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 33A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
D
EAS  
mJ  
P0093-01  
(1) Typical RθJA = 40°C/W on a 1-inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06-  
inch thick FR4 PCB.  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
36  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
10  
TC = 25°C Id = 12A  
TC = 125ºC Id = 12A  
ID = 12A  
VDS = 30V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
4
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
3
6
9
12  
15  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD18537NQ5AT TI

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