CSD18537NQ5A

更新时间： 2024-11-28 12:53:03

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60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD18537NQ5A

www.ti.com

SLPS391 –JUNE 2013

60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

Check for Samples: CSD18537NQ5A

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Ultra Low Qg and Qgd

Low Thermal Resistance

Avalanche Rated

T_A= 25°C

V_DS

TYPICAL VALUE

UNIT

Drain to Source Voltage

Gate Charge Total (10V)

Gate Charge Gate to Drain

Q_g

mΩ

Q_gd

2.3

Pb Free Terminal Plating

RoHS Compliant

V_GS= 6V

R_DS(on)Drain to Source On Resistance

V_GS(th)Threshold Voltage

V_GS= 10V

Halogen Free

3.0

SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

ORDERING INFORMATION

APPLICATIONS

Device

Package

Media

Qty

Ship

•

High Side Synchronous Buck Converter

Motor Control

SON 5-mm × 6-mm

Plastic Package

13-Inch

Reel

Tape and

Reel

CSD18537NQ5A

2500

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

The NexFET™ power MOSFET has been designed

to minimize losses in power conversion applications.

T_A= 25°C

VALUE

UNIT

V_DS

V_GS

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±20

Top View

Continuous Drain Current (Package limited),

T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current (Silicon limited),

T_C= 25°C

Continuous Drain Current, T_A= 25°C⁽¹⁾

Pulsed Drain Current, T_A= 25°C⁽²⁾

Power Dissipation⁽¹⁾

I_DM

P_D

T_J,

3.2

Operating Junction and Storage

T_STGTemperature Range

–55 to 150

°C

Avalanche Energy, single pulse

I_D= 33A, L = 0.1mH, R_G= 25Ω

E_AS

P0093-01

(1) Typical R_θJA= 40°C/W on a 1-inch², 2-oz. Cu pad on a 0.06-

inch thick FR4 PCB.

(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%

R_DS(on)vs V_GS

GATE CHARGE

T_C= 25°C Id = 12A

T_C= 125ºC Id = 12A

I_D= 12A

V_DS= 30V

Q_g- Gate Charge (nC)

V_GS- Gate-to- Source Voltage (V)

G001

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of

Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

PRODUCTION DATA information is current as of publication date.

Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18534Q5A	TI	类似代替	60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18563Q5A	TI	功能相似	60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD18537NQ5A_14	TI	获取价格	60 V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD18537NQ5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18541F5	TI	获取价格	采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、6
CSD18541F5T	TI	获取价格	采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、6
CSD18542KCS	TI	获取价格	采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFE
CSD18542KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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