是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | D2PAK-3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.65 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 819 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 200 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0022 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 51 pF |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD18535KTT | TI |
类似代替 |
采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | |
CSD18542KTT | TI |
类似代替 |
采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | |
CSD19506KTT | TI |
类似代替 |
80V, N ch NexFET MOSFET™, single D2PAK, 2.3mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD18536KTTT | TI |
获取价格 |
采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF | |
CSD18537NKCS | TI |
获取价格 |
60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD18537NQ5A | TI |
获取价格 |
60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD18537NQ5A_14 | TI |
获取价格 |
60 V N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD18537NQ5AT | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18541F5 | TI |
获取价格 |
采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、6 | |
CSD18541F5T | TI |
获取价格 |
采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、6 | |
CSD18542KCS | TI |
获取价格 |
采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFE | |
CSD18542KTT | TI |
获取价格 |
采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | |
CSD18542KTTT | TI |
获取价格 |
采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET |