是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.65 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 205 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 32 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0023 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 333 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-N5 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD18511Q5A | TI |
功能相似 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18510KTT | TI |
功能相似 |
采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF | |
CSD18502Q5B | TI |
功能相似 |
40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD18512Q5BT | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18513Q5A | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18513Q5AT | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18514Q5A | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18514Q5AT | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18531Q5A | TI |
获取价格 |
60V N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD18531Q5A_12 | TI |
获取价格 |
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati | |
CSD18531Q5AT | TI |
获取价格 |
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD18532KCS | TI |
获取价格 |
60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD18532NQ5B | TI |
获取价格 |
60-V, N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs |