5秒后页面跳转
CSD18512Q5B PDF预览

CSD18512Q5B

更新时间: 2024-11-14 11:13:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 948K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18512Q5B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks风险等级:1.65
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):205 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (ID):32 A
最大漏源导通电阻:0.0023 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):333 pFJESD-30 代码:R-PDSO-N5
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

CSD18512Q5B 数据手册

 浏览型号CSD18512Q5B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD18512Q5B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD18512Q5B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD18512Q5B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD18512Q5B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD18512Q5B的Datasheet PDF文件第7页 
Support &  
Community  
Reference  
Design  
Product  
Folder  
Order  
Now  
Tools &  
Software  
Technical  
Documents  
CSD18512Q5B  
ZHCSFS9A DECEMBER 2016REVISED MARCH 2019  
CSD18512Q5B 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET  
1 特性  
产品概要  
1
RDS(ON)  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
单位  
V
低热阻  
漏源电压  
40  
75  
雪崩级  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅漏栅极电荷  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
逻辑电平  
Qgd  
13.3  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.6  
1.8  
1.3  
无铅端子镀层  
符合 RoHS  
无卤素  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
SON 5mm x 6mm 塑料封装  
订购信息(1)  
器件  
数量  
2500 13 英寸卷带  
250 7 英寸卷带  
包装介质  
封装  
配送  
卷带封装  
2 应用  
CSD18512Q5B  
CSD18512Q5BT  
SON 5mm × 6mm  
塑料封装  
直流/直流转换  
次级侧同步整流器  
电机控制  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品  
附录。  
绝对最大额定值  
3 说明  
TA = 25°C  
40  
单位  
V
这款 40V1.3mΩ5mm × 6mmNexFET™功率  
MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损  
耗。  
VDS  
VGS  
漏源电压  
栅源电压  
±20  
100  
V
持续漏极电流(受封装限制)  
持续漏极电流(受芯片限制),  
TC = 25°C 时测得  
持续漏极电流(1)  
脉冲漏极电流(2)  
功耗(1)  
ID  
211  
A
俯视图  
32  
400  
3.1  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
A
W
功耗,TC = 25°C  
139  
TJ、 工作结温、  
–55 150  
°C  
Tstg  
贮存温度  
雪崩能量,单一脉冲  
ID = 64AL = 0.1mHRG = 25Ω  
D
EAS  
205  
mJ  
D
(1) RθJA = 40°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷  
电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。  
P0093-01  
(2) 最大 RθJC = 0.9°C/W,脉冲持续时间 100μs,占空比 1%  
RDS(on) VGS 对比  
栅极电荷  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10  
TC = 25°C, I D = 30 A  
TC = 125°C, I D = 30 A  
ID = 30 A, VDS = 20 V  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLPS624  
 
 
 
 
 
 

CSD18512Q5B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CSD18511Q5A TI

功能相似

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18510KTT TI

功能相似

采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18502Q5B TI

功能相似

40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

与CSD18512Q5B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD18512Q5BT TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18513Q5A TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18513Q5AT TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18514Q5A TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18514Q5AT TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18531Q5A TI

获取价格

60V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
CSD18531Q5A_12 TI

获取价格

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati
CSD18531Q5AT TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18532KCS TI

获取价格

60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18532NQ5B TI

获取价格

60-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs