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CSD18512Q5B

更新时间： 2024-11-14 11:13:47

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	948K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18512Q5B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.65
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	205 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	32 A
最大漏源导通电阻：	0.0023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	333 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-N5
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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CSD18512Q5B

ZHCSFS9A –DECEMBER 2016–REVISED MARCH 2019

CSD18512Q5B 40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

1 特性

产品概要

•

低 R_DS(ON)

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

雪崩级

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅漏栅极电荷

mΩ

逻辑电平

Q_gd

13.3

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.6

1.8

1.3

无铅端子镀层

符合 RoHS

无卤素

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

SON 5mm x 6mm 塑料封装

订购信息⁽¹⁾

器件

数量

2500 13 英寸卷带

250 7 英寸卷带

包装介质

封装

配送

卷带封装

2 应用

CSD18512Q5B

CSD18512Q5BT

SON 5mm × 6mm

塑料封装

•

直流/直流转换

次级侧同步整流器

电机控制

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品

附录。

绝对最大额定值

3 说明

T_A= 25°C

值

单位

这款 40V、1.3mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率

MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损

耗。

V_DS

V_GS

漏源电压

栅源电压

±20

100

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），

T_C= 25°C 时测得

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功耗⁽¹⁾

I_D

211

俯视图

400

3.1

I_DM

P_D

功耗，T_C= 25°C

139

T_J、工作结温、

–55 至 150

°C

T_stg

贮存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 64A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

205

(1) R_θJA= 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷

电路板 (PCB) 上的 1 英寸²2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。

P0093-01

(2) 最大 R_θJC= 0.9°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

R_DS(on)与 V_GS对比

栅极电荷

T_C= 25°C, I _D= 30 A

T_C= 125°C, I _D= 30 A

I_D= 30 A, V_DS= 20 V

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS624

12 3 4 5 6 7...14

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CSD18512Q5B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18511Q5A	TI	功能相似	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18510KTT	TI	功能相似	采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18502Q5B	TI	功能相似	40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

与CSD18512Q5B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD18512Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18513Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18513Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18514Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18514Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18531Q5A	TI	获取价格	60V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD18531Q5A_12	TI	获取价格	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati
CSD18531Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18532KCS	TI	获取价格	60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD18532NQ5B	TI	获取价格	60-V, N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs

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