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CSD18510KTT

更新时间： 2024-11-14 11:11:47

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1248K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18510KTT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.66
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	328 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	200 A
最大漏源导通电阻：	0.0026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	551 pF	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD18510KTT 数据手册

CSD18510KTT

ZHCSFX7B –NOVEMBER 2016 –REVISED NOVEMBER 2022

CSD18510KTT 40V N 通道NexFET^TM功率MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

典型值

单位

V_DS

Q_g

漏源电压

• 超低Q_g和Q_gd

• 低热阻

• 雪崩级

• 无铅端子镀层

• 符合RoHS

• 无卤素

• D²PAK 塑料封装

119

栅极电荷总量(10V)

Q_gd

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.7

2.0

1.4

R_DS(on)

V_GS(th)

mΩ

阈值电压

器件信息⁽¹⁾

介质

2 应用

器件

数量

500

封装

配送

D²PAK

塑料封装

CSD18510KTT

CSD18510KTTT

卷带包

装

• 次级侧同步整流器

• 电机控制

13 英寸卷带

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品

附录。

3 说明

这款 40V、1.4mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET^™功率

MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的

损耗。

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

Drain (Pin 2)

±20

栅源电压

200

274

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 100°C 时

测得

193

Gate

(Pin 1)

脉冲漏极电流⁽¹⁾

功率耗散

I_DM

P_D

400

250

T_J、

T_stg

工作结温、

贮存温度

°C

-55 至175

Source (Pin 3)

雪崩能量，单脉冲

I_D= 81A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

328

(1) 最大R_θJC= 0.6°C/W，脉冲持续时间≤100μs，占空比≤

1%。

T_C= 25°C, I_D= 100 A

T_C= 125°C, I_D= 100 A

I_D= 100 A, V_DS= 20 V

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

100

120

D007

D004

_DS(on)与V_GS之间的关系

栅极电荷

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS638

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CSD18510KTT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18513Q5A	TI	功能相似	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5B	TI	功能相似	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18511Q5A	TI	功能相似	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™

与CSD18510KTT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD18510KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18510Q5B	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET
CSD18510Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET
CSD18511KCS	TI	获取价格	采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD18511KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18511KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18511Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18511Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5B	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™

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