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CSD18510Q5BT

更新时间： 2024-11-14 11:14:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	791K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DNK \| 8 \| -55 to 150

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CSD18510Q5BT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code：	not_compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.66	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	328 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	551 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-N5	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD18510Q5BT 数据手册

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CSD18510Q5B

ZHCSG53 –MARCH 2017

CSD18510Q5B N 通道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管

(MOSFET)

1 特性

产品概要

•

低 R_DS(ON)

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

•

低热阻

漏源电压

雪崩额定值

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

118

逻辑电平

Q_gd

栅极电荷（栅极到漏极）

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.7

1.2

无铅引脚镀层

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

0.79

符合 RoHS 环保标准

无卤素

小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

器件

数量

2500 13 英寸卷带

250 7 英寸卷带

包装介质

封装

运输

2 应用范围

CSD18510Q5B

CSD18510Q5BT

5.00mm × 6.00mm

SON 塑料封装

卷带封

装

•

直流 - 直流转换

次级侧同步整流器

电机控制

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

3 说明

V_DS漏源电压

V_GS栅源电压

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、0.79mΩ、

NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度

降低功率转换应用中的功率损耗。

±20

100

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），T_C= 25°C 时

测得

I_D

300

俯视图

持续漏极电流⁽¹⁾

400

3.1

I_DM

P_D

脉冲漏极电流，T_A= 25°C 时测得⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

功率耗散，T_C= 25°C

156

T_J，工作结温，

-55 至 150

°C

T_stg

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 81，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

328

(1) R_θJA= 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)

印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司铜焊盘上测得的典型

值。

(2) 最大 R_θJC= 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

P0093-01

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS632

12 3 4 5 6 7...14

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CSD18510Q5BT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD18510Q5B	TI	完全替代	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET

与CSD18510Q5BT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD18511KCS	TI	获取价格	采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD18511KTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18511KTTT	TI	获取价格	采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18511Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18511Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5B	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5BT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18513Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18513Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18514Q5A	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™

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