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CSD18511KCS

更新时间： 2024-11-14 11:16:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 856K
描述
采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18511KCS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：1.71
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：156 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：110 A
最大漏源导通电阻：0.0042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：306 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD18511KCS 数据手册

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CSD18511KCS  
ZHCSGJ9 –JULY 2017  
CSD18511KCS 40V N 通道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体  
管 (MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
低 Qg 和 Qgd  
低 RDS(ON)  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
40  
单位  
V
漏源电压  
低热阻  
Qg  
栅极电荷总量 (10V)  
栅极电荷（栅极到漏极）  
63.9  
9.7  
nC  
nC  
雪崩额定值  
Qgd  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.8  
3.2  
2.1  
无铅引脚镀层  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
RDS(on) 漏源导通电阻  
VGS(th) 阈值电压  
mΩ  
V
晶体管 (TO)-220 塑料封装  
器件信息(1)  
数量  
器件  
CSD18511KCS  
包装介质  
管
封装  
运输  
管
2 应用范围  
TO-220  
塑料封装  
50  
•
•
次级侧同步整流器  
电机控制  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
绝对最大额定值  
3 说明  
TA = 25°C  
值
40  
单位  
V
此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET  
被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。  
Drain (Pin 2)  
VDS  
VGS  
漏源电压  
栅源电压  
±20  
110  
V
持续漏极电流（受封装限制）  
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时  
测得  
194  
137  
ID  
A
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 100°C  
时测得  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流(1)  
400  
188  
A
Gate  
(Pin 1)  
功率耗散  
W
TJ， 工作结温，  
Tstg  
-55 至 175  
°C  
储存温度  
雪崩能量，单一脉冲  
ID = 56A，L = 0.1mH，RG = 25Ω  
EAS  
156  
mJ  
Source (Pin 3)  
(1) 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。  
RDS(on) 与 VGS 对比  
栅极电荷  
10  
10  
ID = 100 A  
VDS = 20 V  
TC = 25°C, I D = 100 A  
TC = 125°C, I D = 100 A  
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLPS548  
 
 
 
 
 
1234567...13

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与CSD18511KCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD18511KTT TI

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