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CSD18511KTT

更新时间： 2024-09-26 11:14:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 986K
描述
采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD18511KTT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.66
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：156 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：110 A
最大漏源导通电阻：0.0042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：306 pFJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD18511KTT 数据手册

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CSD18511KTT  
SLPS684 –JULY 2017  
CSD18511KTT 40-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET  
1 Features  
Product Summary  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Qg and Qgd  
TA = 25°C  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Low RDS(ON)  
VDS  
Qg  
Drain-to-Source Voltage  
Gate Charge Total (10 V)  
Gate Charge Gate-to-Drain  
40  
63.9  
9.7  
Low-Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
nC  
nC  
Qgd  
VGS = 4.5 V  
VGS = 10 V  
1.8  
3.2  
2.1  
Lead-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
RDS(on) Drain-to-Source On-Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
mΩ  
V
Halogen Free  
D2PAK Plastic Package  
Device Information(1)  
DEVICE  
QTY  
MEDIA  
PACKAGE  
SHIP  
2 Applications  
CSD18511KTT  
CSD18511KTTT  
500  
50  
Tape  
and  
Reel  
D2PAK  
Plastic Package  
13-Inch Reel  
•
•
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Motor Control  
(1) For all available packages, see the orderable addendum at  
the end of the data sheet.  
3 Description  
This 40-V, 2.1-mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™  
power MOSFET is designed to minimize losses in  
power conversion applications.  
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
40  
Drain (Pin 2)  
Gate-to-Source Voltage  
±20  
V
Continuous Drain Current (Package Limited)  
110  
Continuous Drain Current (Silicon Limited),  
TC = 25°C  
194  
137  
ID  
A
Continuous Drain Current (Silicon Limited),  
TC = 100°C  
Gate  
(Pin 1)  
IDM  
PD  
Pulsed Drain Current(1)  
400  
188  
A
Power Dissipation  
W
TJ,  
Tstg  
Operating Junction,  
Storage Temperature  
–55 to 175  
156  
°C  
Source (Pin 3)  
Avalanche Energy, Single Pulse  
ID = 56 A, L = 0.1 mH, RG = 25 Ω  
EAS  
mJ  
(1) Max RθJC = 0.8°C/W, pulse duration ≤ 100 μs, duty cycle ≤  
1%.  
RDS(on) vs VGS  
Gate Charge  
10  
10  
ID = 100 A  
VDS = 20 V  
TC = 25°C, I D = 100 A  
TC = 125°C, I D = 100 A  
9
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
 
 
 
 
 
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与CSD18511KTT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD18511KTTT TI

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 		采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18511Q5A TI

获取价格

 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18511Q5AT TI

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 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5B TI

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 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5BT TI

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 		采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
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 		60V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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