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CSD18513Q5AT

更新时间： 2024-11-14 11:14:35

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		局域网开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	830K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DQJ \| 8 \| -55 to 150

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CSD18513Q5AT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	VSONP-8
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	1.67
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	106 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.0053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	231 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-N8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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CSD18513Q5A

ZHCSFX2A –NOVEMBER 2016–REVISED JANUARY 2017

CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体

管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

低 R_DS(ON)

T_A=25°C

V_DS

典型值

单位

低热阻

漏源电压

雪崩额定值

Q_g

栅极电荷总量 (10V)

栅极电荷（栅极到漏极）

逻辑电平

Q_gd

8.8

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.8

4.1

2.8

无铅引脚镀层

符合 RoHS 环保标准

无卤素

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阈值电压

mΩ

SON 5mm × 6mm 塑料封装

器件信息⁽¹⁾

器件

包装介质

数量

封装

运输

2 应用范围

CSD18513Q5A

CSD18513Q5AT

13 英寸卷带

7 英寸卷带

2500

SON

5.00mm × 6.00mm

塑料封装

卷带封

装

•

直流 - 直流转换

次级侧同步整流

电池电机控制

250

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

3 说明

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、2.8mΩ、

NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中

大大降低损耗。

栅源电压

±20

100

持续漏极电流（受封装限制）

持续漏极电流（受芯片限制），

T_C= 25°C 时测得

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

I_D

124

俯视图

400

3.1

I_DM

P_D

功率耗散，T_C= 25°C

T_J，工作结温，

T_stg

-55 至 150

°C

储存温度

雪崩能量，单一脉冲

I_D= 46A，L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

106

(1) R_θJA= 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)

印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸²，2 盎司铜焊盘上测得的典型

值。

P0093-01

(2) 最大 R_θJC= 1.3°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

R_DS(on)与 V_GS对比

栅极电荷

T_C= 25°C, I _D= 19 A

T_C= 125°C, I _D= 19 A

I_D= 19 A, V_DS= 20 V

V_GS- Gate-to-Source Voltage (V)

Q_g- Gate Charge (nC)

D007

D004

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

English Data Sheet: SLPS623

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CSD18514Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18531Q5A	TI	获取价格	60V N-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD18531Q5A_12	TI	获取价格	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati
CSD18531Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™
CSD18532KCS	TI	获取价格	60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs
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