Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CSD18503Q5AT

CSD18503Q5AT

更新时间： 2024-11-14 11:07:03

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	709K
描述
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| DQJ \| 8 \| -55 to 150

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CSD18503Q5A

www.ti.com

SLPS358 –JUNE 2012

40V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

Check for Samples: CSD18503Q5A

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Ultra Low Qg and Qgd

Low Thermal Resistance

Avalanche Rated

Typical Values at 25°C

unless otherwise stated

TYPICAL VALUE

UNIT

V_DS

Q_g

Drain to Source Voltage

Gate Charge Total (4.5V)

Gate Charge Gate to Drain

mΩ

Logic Level

Q_gd

4.3

Pb Free Terminal Plating

RoHS Compliant

V_GS= 4.5V

V_GS= 10V

1.8

4.7

3.4

R_DS(on)Drain to Source On Resistance

V_GS(th)Threshold Voltage

Halogen Free

SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

ORDERING INFORMATION

APPLICATIONS

Device

CSD18503Q5A

Package

Media

Qty

Ship

SON 5-mm × 6-mm

Plastic Package

13-Inch

Reel

Tape and

Reel

•

DC-DC Conversion

2500

Secondary Side Synchronous Rectifier

Battery Motor Control

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

T_A= 25°C unless otherwise stated

VALUE

UNIT

DESCRIPTION

The NexFET™ power MOSFET has been designed

V_DS

V_GS

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±20

to minimize losses in power conversion applications.

Continuous Drain Current (Package limited),

T_C= 25°C

100

145

I_D

Continuous Drain Current (Silicon limited),

T_C= 25°C

Figure 1. Top View

Continuous Drain Current, T_A= 25°C⁽¹⁾

Pulsed Drain Current, T_A= 25°C⁽²⁾

Power Dissipation⁽¹⁾

124

3.1

I_DM

P_D

T_J,

Operating Junction and Storage

T_STGTemperature Range

–55 to 150

157

°C

Avalanche Energy, single pulse

I_D= 56A, L = 0.1mH, R_G= 25Ω

E_AS

(1) Typical R_θJA= 40°C/W on a 1-inch², 2-oz. Cu pad on a 0.06-

inch thick FR4 PCB.

P0093-01

(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%

R_DS(on)vs V_GS

GATE CHARGE

T_C= 25°C Id = 22A

T_C= 125ºC Id = 22A

I_D= 22A

V_DS= 20V

Q_g- Gate Charge - nC (nC)

V_GS- Gate-to- Source Voltage - V

G001

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of

Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

PRODUCTION DATA information is current as of publication date.

Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

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CSD18504Q5A_12	TI	获取价格	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati
CSD18504Q5AT	TI	获取价格	采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
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