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CSD18504KCS

更新时间： 2024-11-13 12:51:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
8页 299K
描述
40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD18504KCS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.95Samacsys Description：40V, N ch NexFET MOSFET?, single TO-220, 7mOhm
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：88 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：53 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：10.4 pF
JEDEC-95代码：TO-220JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：93 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：133 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

CSD18504KCS 数据手册

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CSD18504KCS  
www.ti.com  
SLPS365 –OCTOBER 2012  
40-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD18504KCS  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (10V)  
Gate Charge Gate to Drain  
40  
19  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
3.5  
Logic Level  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
8.0  
5.5  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
1.9  
Halogen Free  
TO-220 Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD18504KCS  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
Tube  
APPLICATIONS  
TO-220 Plastic  
Package  
Tube  
50  
•
•
•
DC-DC Conversion  
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
40  
V
V
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion applications.  
Gate to Source Voltage  
±20  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
100  
85  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
ID  
A
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 100°C  
53  
IDM  
PD  
TJ,  
Pulsed Drain Current (1)  
133  
93  
A
Power Dissipation  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
88  
°C  
TSTG Temperature Range  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 42A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
20  
10  
TC = 25°C Id = 40A  
TC = 125ºC Id = 40A  
ID = 40A  
VDS = 20V  
18  
9
16  
14  
12  
10  
8
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
4
8
12  
16  
20  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
 
12345678

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CSD18504KCS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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