5秒后页面跳转
CSD18510KCS PDF预览

CSD18510KCS

更新时间: 2024-09-26 11:15:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 1120K
描述
采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD18510KCS 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:6 weeks风险等级:1.7
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):328 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (ID):200 A
最大漏源导通电阻:0.0026 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):551 pFJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

CSD18510KCS 数据手册

 浏览型号CSD18510KCS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSD18510KCS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CSD18510KCS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CSD18510KCS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CSD18510KCS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CSD18510KCS的Datasheet PDF文件第7页 
CSD18510KCS  
ZHCSG34B MARCH 2017 REVISED NOVEMBER 2022  
CSD18510KCS 40V N NexFETTM MOSFET  
产品概要  
1 特性  
TA = 25°C  
典型值  
单位  
VDS  
Qg  
40  
V
漏源电压  
Qg Qgd  
RDS(ON)  
• 低热阻  
118  
21  
nC  
nC  
栅极电荷总(10V)  
Qgd  
栅极电荷栅极到漏极)  
漏源导通电阻  
• 雪崩级  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
1.7  
2.0  
1.4  
RDS(on)  
VGS(th)  
mΩ  
• 无铅端子镀层  
• 符RoHS  
• 无卤素  
V
阈值电压  
器件信息(1)  
数量  
TO-220 塑料封装  
器件  
CSD18510KCS  
介质  
封装  
配送  
2 应用  
TO-220  
塑料封装  
50  
• 次级侧同步整流器  
• 电机控制  
(1) 要了解所有可用封装请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
绝对最大额定值  
TA = 25°C  
40  
单位  
V
这款 40V 1.4mΩTO-220 NexFET 率  
MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的  
损耗。  
VDS  
VGS  
漏源电压  
±20  
V
栅源电压  
200  
288  
持续漏极电流受封装限制)  
Drain (Pin 2)  
持续漏极电流受芯片限制),TC = 25°C 时  
测得  
ID  
A
持续漏极电流受芯片限制),TC = 100°C 时  
测得  
204  
脉冲漏极电流(1)  
功率耗散  
IDM  
PD  
400  
250  
A
Gate  
(Pin 1)  
W
TJ、  
Tstg  
工作结温、  
贮存温度  
°C  
-55 175  
Source (Pin 3)  
雪崩能量单脉冲  
ID = 81AL = 0.1mHRG = 25Ω  
EAS  
328  
mJ  
(1) RθJC = 0.6°C/W脉冲持续时100μs占空≤  
1%。  
8
10  
TC = 25°C, ID = 100 A  
TC = 125°C, ID = 100 A  
ID = 100 A, VDS = 20 V  
9
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)  
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
20  
40  
Qg - Gate Charge (nC)  
60  
80  
100  
120  
D007  
D004  
R
DS(on) VGS 之间的关系  
栅极电荷  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLPS663  
 
 
 
 
 
 
 

与CSD18510KCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD18510KTT TI

获取价格

采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18510KTTT TI

获取价格

采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18510Q5B TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET
CSD18510Q5BT TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET
CSD18511KCS TI

获取价格

采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOS
CSD18511KTT TI

获取价格

采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18511KTTT TI

获取价格

采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSF
CSD18511Q5A TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18511Q5AT TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™
CSD18512Q5B TI

获取价格

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™