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CSD18503Q5A_12

更新时间： 2024-09-25 12:51:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
12页 730K
描述
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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CSD18503Q5A  
www.ti.com  
SLPS358B –JUNE 2012–REVISED NOVEMBER 2012  
40V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD18503Q5A  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
Typical Values at 25°C  
unless otherwise stated  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
40  
13  
V
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Logic Level  
Qgd  
4.3  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = 4.5V  
VGS = 10V  
4.7  
3.4  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
1.8  
SON 5-mm × 6-mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
Device  
CSD18503Q5A  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
SON 5-mm × 6-mm  
Plastic Package  
13-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
•
•
•
DC-DC Conversion  
2500  
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Battery Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
DESCRIPTION  
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
40  
±20  
V
to minimize losses in power conversion applications.  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
100  
145  
ID  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
A
Figure 1. Top View  
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
19  
124  
3.1  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM  
PD  
TJ,  
A
W
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
157  
°C  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 56A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
D
D
(1) Typical RθJA = 40°C/W on a 1-inch2, 2-oz. Cu pad on a 0.06-  
inch thick FR4 PCB.  
P0093-01  
(2) Pulse duration ≤300μs, duty cycle ≤2%  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
10  
TC = 25°C Id = 22A  
TC = 125ºC Id = 22A  
ID = 22A  
VDS = 20V  
8
6
4
2
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
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